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納安功耗理想二極管YHM2031發(fā)布

時間:2025-03-11 小編:小爻 瀏覽:48 次

傳統(tǒng)二極管是一個應(yīng)用非常廣泛的器件。標準硅二極管的正向壓降為0.6V0.7V,肖特基二極管的正向壓降為0.3V。對于通常應(yīng)用來說,壓降不是問題,但是在一些低電壓或者對功率損耗要求比較高的場景下,系統(tǒng)通常不能接受這么大的壓降。而且傳統(tǒng)二極管的反向漏電很大,在某些應(yīng)用中也是不能接受的。因此,誕生了用低導通電阻的MOSFET來模擬二極管單向電流的行為,即理想二極管芯片。爻火也適時推出了全新的理想二極管芯片YHM2031。YHM2031內(nèi)部集成由VOUTVIN控制的MOSFET,可以實現(xiàn)雙向關(guān)斷,導通情況下有最大1A的通流能力。

內(nèi)部框圖

低功耗設(shè)計

YHM2031充分考慮了低功耗的設(shè)計。在正向?qū)ㄇ闆r下,IN上消耗的靜態(tài)功耗只有160nA;在反向關(guān)斷的情況下,IN上僅消耗10nA的功耗。如果輸入端接的是電池,這樣的設(shè)計極大的減小了在不需要它供電的情況下的電池自身耗電。同時,在反向關(guān)斷的情況下,反向OUT端也僅只有170nA的耗電,這個電流相當于二極管的反向漏電,但是比傳統(tǒng)二極管減小了很多。

控制方式

YHM2031采用調(diào)制方式控制MOSFET的通斷,保證在VINVOUT時,MOSFET是處于關(guān)閉狀態(tài)。同時,YHM2031集成了使能控制,EN管腳可以控制YHM2031的通斷。當EN使器件斷開后,YHM2031可以阻止雙向的電流流動,把INOUT端真正隔離開。

性能指標

工作電壓范圍:1.65V ~ 5.5V

低靜態(tài)功耗:正向?qū)ǎ?span>160nA IN靜態(tài)功耗。

反向?qū)ǎ?span>10nA IN 靜態(tài)功耗,170nA OUT靜態(tài)功耗。

低導通壓降:18mV @ 200mA45mV @ 500mA;90mV @ 1A

可選的output quick discharge功能。

可選的EN極性控制。

過流保護。

過溫保護。

封裝:0.67mm×0.75mm WLCSP-4

5-Pin SOT23-5

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